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배움의 연장

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배움의 연장/오늘의디스플레이 디스플레이 용어 정리 ACF(Anisotropic Conductive Film) 특정한 방향으로만 전기를 통하도록 만들어진 필름 ACF는 전기가 흐르지 않는 접착제와 전기가 흐를 수 있는 미세한 입자를 혼합시켜 얇은 필름 형태 전기 회로를 연결하므로 부품 압착 방향으로는 전기가 흐르게 하는 전도성, 압착의 수직 방향으로는 전기가 흐르지 않도록 하는 절연성을 가지고 있다. 방향에 따라 전도성이 다르므로 이방성이라는 명칭이 사용 전기부품 간에 전기가 원활히 흐르기 위해 부품들이 잘 달라붙게 하는 부착성 디스플레이 패널과 DDI, PCB, FPCB 등의 전기부품을 전기적으로 연결하는 모듈 공정에서 사용 OCA/OCR (광학용 접착소재) 여러 종류의 부품 부착으로 인해 빛의 손실이나 반사를 최소화하기 위해 사용하는 소재 빛은 재질이..
배움의 연장/오늘의반도체 Si원료 제조공정 반도체 제조공정은 크게 1. Si원료 제조공정 2. 웨이퍼 공정 3. IC조립 및 검사 로 나누어진다. 이번편에서는 Si원료 제조공정, 즉 웨이퍼가공 과정을 알아본다. 규소를 웨이퍼로 만들기 위해서는 먼저 규석(SiO2)을 환원시켜 금속 Si를 얻어낸다. 이때 SiO2는 큰 힘으로 결합하고 있어서 방대한 에너지가 필요하다. 이러한 금속 Si를 미세한 가루로 분쇄하여 염산에 녹이고 이를 증류하고 정제하여 높은 순도로 만든다. Si+3HCl -> HSiCl3 + H2 이후 금속 반응로 내에 설치한 여러 개의 작은 다결정 Si심을 1000도로 가열하고 여기에 정제된 trichlorosilane 증기와 수소를 혼합한 가스를 흘리면 Si 심 표면에 고품위 다결정 Si가 생성된다. 이때 생성되는 사염화규소(SiCl..
배움의 연장/오늘의반도체 반도체 원가절감은 어떻게? 원가절감. 어떻게 이루어내나? IC 칩의 크기가 동일하다면, 웨이퍼가 크면 클수록, 즉 직경이 클수록 많은 IC 칩을 만들 수 있어서 더 경제적이다. 결국엔 IC칩의 소형화와 웨이퍼의 대형화가 동시에 이루어져야지 원가인하에 더욱 큰 영향을 미칠 수 있다. 2020년경에는 450mm(18인치)가 등장할 것으로 예측된다. IC칩을 미세하게 만드는 방법을 설명하기에 앞서, IC칩의 미세화를 말하는 기준은 선폭이 얼마나 되느냐에 달려있다. 이를 흔히 design rule이라고 하며 MOS에서는 gate의 길이를 말한다(cmrf7sf에서는 0.18um). 이 미세화 기술의 핵심은 리소그래피(lithography) 기술인데, 리소그래피 기술은 마스크(mask)를 통해 패턴(pattern)을 웨이퍼 위에 굽는 공정이..
배움의 연장/오늘의반도체 반도체부터 집적회로까지 반도체란?반도체는 전기가 잘 통하는 '도체' 와 전기가 통하지 않는 '절연체' 사이의 물질이라고 보면 된다. 전기가 통하는 성질은 저항의 크기와 관련이 있는데, 반도체의 경우 저항의 범위가 10^-6 옴/m 부터 10^7 옴/m까지 걸쳐있을만큼 넓은 범위를 아우른다. 반도체의 저항이 결정되는 것은 반도체를 이루고 있는 원자가 하나인지 두개이상인지, 또 어떤 결정구조를 이루고 있는지에 따라 달라지게 된다. 원소가 하나인 경우 원소반도체, 다른말로 진성반도체(Intrinsic Semiconductor)라고 한다. 두 종류의 원소일 경우 화합물 반도체(Compound Semiconductor)라고 하며 또 하나, 금속이 산화해서 생기는 산화물반도체(Oxide Semiconductor)가 있다. 반도체의 역사초..

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